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發布時間：2020-12-10
Dialog半導體已將其導電橋接電阻RAM非易失性存儲器(NVM)技術授權給Globalfoundries，但生產計劃要等到2022年。
Globalfoundries公司計劃在2022年將CBRAM作為其22FDX絕緣體上矽22nm製造工藝的嵌入式NVM選項，並計劃將該方案擴展到其他製程。
Facebook人工智能科學家Yann LeCun表示， ReRAM技術是嵌入式人工智能的一項關鍵技術。CBRAM可在惡劣的環境下工作，可用在物聯網、5G連接、人工智能、消費者、醫療以及某些工業和汽車應用上。
內存隻需要在邏輯過程中添加一個掩碼層，但目前還不清楚為什麽這個技術需要如此長的時間才能投入生產。Dialog聲稱，由於它是一種“後端”技術，因此能夠相對容易地集成到技術節點中。
CBRAM由Adesto技術公司開發，其原理是基於銅離子通過非晶二氧化矽的運動，以形成交叉點的絲狀橋接開關。此技術於2020年9月通過對Adesto的收購轉給了Dialog。
Adesto成立於2006年，他們計劃開發一種基於Axon Technologies Corp.許可的非易失性存儲器。Axon Technologies是亞利桑那州立大學(Arizona State University)的附屬公司。該公司是眾多競爭對手中將ReRAM推向市場的公司之一，盡管基於該技術的產品銷售有些困難，也使用了其他更傳統的NVM技術。Dialog半導體負責企業發展副總裁Mark Tyndall表示:“該協議不僅為行業帶來了優良的技術，還為Dialog下一代係統芯片采用前沿的CBRAM技術創造了機會。”
通過IP定製，客戶可以通過修改CBRAM單元來優化SoC設計，甚至為新的應用程序調整單元。
來源：中電網
